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浙江奥首申请用于去除 Si 孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用...金融界2024 年11 月30 日消息,国家知识产权局信息显示,浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种用于去除Si 孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用”的专利,公开号CN 119039992 A,申请日期为2024 年10 月。专利摘要显示,本发明提供一种用于去除Si 孔侧壁损伤层的后面会介绍。

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...有限公司取得一种消除铜冷却壁高炉长期休风恢复初期崩料的方法专利金融界2024年9月25日消息,国家知识产权局信息显示,山西太钢不锈钢股份有限公司取得一项名为“一种消除铜冷却壁高炉长期休风恢复初期崩料的方法”的专利,授权公告号CN 116287507 B,申请日期为2023年3月。

中微公司申请半导体零部件的清洗方法专利,能够去除通孔内的污染物,...所述清洗方法包括步骤:提供化学流体抛光液,所述化学流体抛光液中包含化学腐蚀剂和抛光磨料;使化学流体抛光液穿过所述通孔并从第二表面向第一表面流动,所述化学流体抛光液在流经所述通孔的过程中,对通孔内侧壁进行清洗处理。所述清洗方法能够去除所述通孔内的污染物,且不易小发猫。

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