如何测电容的大小_如何测电容正负

长鑫存储申请半导体结构的制备方法专利,用于提高电容孔的大小均一性金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN 118946137 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制备方法,涉及半导体技术领域,用于提高电容孔的大小均一性。该等我继续说。

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...控制系统和方法专利,实现不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压电压检测模块用于检测寄生电容的端口电压,根据寄生电容的端口电压控制充电模块对寄生电容进行充电或控制放电模块对寄生电容进行放电以使寄生电容的端口电压等于预设消影电压。本发明实现了不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压,不需要在不同显示屏中分别设置消影时间后面会介绍。

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艾为电子申请电容检测相关专利,实现降低系统的复杂度,提高了检测...本申请涉及电容检测技术领域,具体涉及一种电容检测电路、检测方法、检测芯片以及检测装置。当用户进行触摸操作时,电容检测端的待测电容Cx的大小发生变化。本申请提供的电容检测电路中,基于恒流源充电原理,将待测电容Cx充电和放电的过程中的电压分别与第一触发器的高翻转小发猫。

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