什么是碳化硅外延_什么是碳化硅外延片

碳化硅外延片供应商天域半导体递表 华为比亚迪参股仍存产能过剩风险财联社12月24日讯(编辑冯轶)12月23日,广东天域半导体股份有限公司向港交所主板提交上市申请书,中信证券为独家保荐人。招股书显示,天域半导体是中国首家技术领先的专业碳化硅外延片供应商。据弗若斯特沙利文的资料,公司在中国碳化硅外延片市场的市场份额于2023年达38.8还有呢?

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芯联越州取得碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件专利金融界2024年10月23日消息,国家知识产权局信息显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司取得一项名为“碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件”的专利,授权公告号CN 118248535 B,申请日期为2024年5月。

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北方华创:碳化硅外延设备已实现批量销售,市场占有率处于国内前列金融界2月28日消息,有投资者在互动平台向北方华创提问:你好,请问贵公司是否生产碳化硅外延设备?公司回答表示:公司碳化硅外延设备已实现批量销售,市场占有率一直处于国内前列。本文源自金融界AI电报

江苏汉印机电科技申请碳化硅外延厚度检测装置及方法专利,具有方便...金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,江苏汉印机电科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延厚度的检测装置及方法”的专利,公开号CN 118758191 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种碳化硅外延厚度的检测装置及方法,涉及碳化硅外延还有呢?

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中环领先取得加热座及碳化硅外延设备专利,降低生长腔室中心温度以...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,中环领先半导体科技股份有限公司取得一项名为“加热座及碳化硅外延设备”的专利,授权公告号CN 222024559 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本申请公开了一种加热座及碳化硅外延设备,属于碳化硅生产设备技术领域,该等我继续说。

连科半导体申请碳化硅外延炉衬底旋转结构专利,实现快速调节转速的...金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,连科半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延炉衬底旋转结构”的专利,公开号CN 118979301 A,申请日期为2024 年8 月。专利摘要显示,本发明属于碳化硅外延生长技术领域,具体的说是一种碳化硅外延炉衬底旋转结构,包后面会介绍。

东旭集团申请“一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用”...金融界2024年9月3日消息,天眼查知识产权信息显示,东旭集团有限公司申请一项名为“一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用“公开号CN202410528630.X,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明提供一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用,其中制备方法包是什么。

浙江芯科半导体申请双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性专利,...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,浙江芯科半导体有限公司申请一项名为“双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法”的专利,公开号CN 119028807 A ,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法还有呢?

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连科半导体取得适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统专利,保障TCS...金融界2024年11月26日消息,国家知识产权局信息显示,连科半导体有限公司取得一项名为“一种适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统”的专利,授权公告号CN 222043412 U,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本实用新型属于电路控制技术领域,具体的说是一种适用于8吋碳化硅外延说完了。

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比亚迪公布国际专利申请:“碳化硅外延片及其制备方法”证券之星消息,根据企查查数据显示比亚迪(002594)公布了一项国际专利申请,专利名为“碳化硅外延片及其制备方法”,专利申请号为PCT/CN2023/107985,国际公布日为2024年4月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来比亚迪已公布的国际专利申请107个,较去说完了。

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